STP12NM50FP, Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2800 шт., срок 8-10 недель
2 490 ֏
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
от 118 шт. —
2 400 ֏
от 334 шт. —
2 300 ֏
Добавить в корзину 63 шт.
на сумму 156 870 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 550В, 7,5А, 35Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | STP12NM50FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 50ВµA |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С |
| Емкость, пФ | 1000 |
| Заряд затвора, нКл | 39 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 12 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 350 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-35 Вт |
| Описание | N-Channel 500 V 12A(Tc)35W(Tc)Through Hole TO-220FP |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 56*46*41/1000 |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
...12NM50
pdf, 535 КБ
Datasheet
pdf, 618 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ
STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FP
pdf, 621 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
