SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 7 недель
24 800 ֏
от 3 шт. —
20 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 800 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Application | automotive industry |
| Case | HIP247™ |
| Drain current | 16A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 153W |
| Pulsed drain current | 45A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.52 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | SCT |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 5.4 |
Техническая документация
Datasheet SCT10N120AG
pdf, 418 КБ
Datasheet SCT20N120AG
pdf, 480 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
