STF22N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
99 шт., срок 8 недель
3 340 ֏
от 3 шт. —
2 980 ֏
от 10 шт. —
2 470 ֏
от 50 шт. —
2 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 340 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.196 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | ST |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet STF22N60M6
pdf, 448 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
