STP11NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
![Фото 1/3 STP11NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC005611180.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC005709320.jpg)
900 шт., срок 8-10 недель
1 870 ֏
Мин. кол-во для заказа 84 шт.
от 157 шт. —
1 830 ֏
от 444 шт. —
1 720 ֏
Добавить в корзину 84 шт.
на сумму 157 080 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 6,3А, 90Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 450@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 25 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | FDmesh II |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 9 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@50V |
Typical Rise Time (ns) | 7 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 10 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 450@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 90000 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 30 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 30@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 850@50V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг