STB120NF10T4
![Фото 1/4 STB120NF10T4](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843760.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
5 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
6 200 ֏
от 2 шт. —
5 600 ֏
от 5 шт. —
5 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 312Вт 0,0105Ом DІPak Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 68 ns |
Forward Transconductance - Min | 90 S |
Height | 4.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 120 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 312 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 10.5 mOhms |
Rise Time | 90 ns |
RoHS | Details |
Series | STB120NF10 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 132 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 9.35 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Power Dissipation | 312 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 68 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 312 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 172 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
Rise Time: | 90 ns |
Series: | STB120NF10 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 132 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 1.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1031 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 832 КБ
Datasheet STP120NF10
pdf, 380 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг