STW20N90K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
8 900 ֏
1 шт.
на сумму 8 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 900V, 20A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):0.21ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 210 mOhms |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Series: | STW20N90K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
