Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF26NM60N

STF26NM60N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели

3 030 ֏

от 2 шт. — 2 540 ֏

от 5 шт. — 2 190 ֏

от 10 шт. — 2 030 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 030 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004352252

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 12,6А, 35Вт Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	50 ns
Id - Continuous Drain Current	20 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	35 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	165 mOhms
Rise Time	25 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	85 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	165 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	50 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF26NM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	85 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Resistance	165 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Drain Source On State Resistance	0.135Ом
Power Dissipation	30Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PW Series
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	20А
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	30Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.135Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Вес, г	1.95