STL90N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
2 400 ֏
от 2 шт. —
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 7.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 90 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 94 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.4 mOhms |
| Rise Time | 17.6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Tradename | STripFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0046Ом |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Power Dissipation | 94 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerFLAT 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Width | 6.35mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 500 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 449 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 453 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
