STB100N10F7, MOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1314 шт., срок 7-9 недель

3 520 ֏

от 10 шт. — 2 730 ֏

от 100 шт. — 1 940 ֏

от 250 шт. — 1 780 ֏

1 шт. на сумму 3 520 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004583719

Unclassified

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом DІPak

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	15 ns
Id - Continuous Drain Current:	80 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-263-3
Pd - Power Dissipation:	150 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	61 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	8 mOhms
Rise Time:	40 ns
Series:	STB100N10F7
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	46 ns
Typical Turn-On Delay Time:	27 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Вес, г	0.426