STB11N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1348 шт., срок 5-8 недель
2 940 ֏
от 10 шт. —
2 320 ֏
от 100 шт. —
1 750 ֏
от 250 шт. —
1 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 85000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | MDmesh |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 644@100V |
| Drain Source On State Resistance | 0.43Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.43Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation | 85 W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 480 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Case | D2PAK |
| Drain current | 5.6A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 17nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| On-state resistance | 0.48Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Pulsed drain current | 36A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
