STD25NF10LT4, MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1706 шт., срок 7-9 недель
2 690 ֏
от 10 шт. —
2 120 ֏
от 100 шт. —
1 590 ֏
от 250 шт. —
1 410 ֏
1 шт.
на сумму 2 690 ֏
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Series: | STD25NF10L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 5 V |
| Width | 6.2mm |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
