STD2NC45-1, MOSFETs N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5869 шт., срок 6-9 недель
720 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 100 шт. —
485 ֏
от 500 шт. —
349 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 4 ns |
| Series: | STD2NC45-1 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4500@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 450 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.7 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | SuperMESH |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Supplier Package | IPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 160@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.7 |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
