STD7N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

STD7N90K5, MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
695 шт., срок 6-9 недель
3 340 ֏
от 10 шт.2 630 ֏
от 100 шт.1 960 ֏
от 250 шт.1 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 340 ֏
Номенклатурный номер: 8004583752
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
MDmesh K5 Power MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 14.7 ns
Id - Continuous Drain Current: 7 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 90 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 17.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 720 mOhms
Rise Time: 14.2 ns
Series: STD7N90K5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 31.6 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 0.33

Техническая документация

Datasheet
pdf, 334 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг