STF12N50DM2, MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 шт., срок 7-9 недель
2 640 ֏
от 10 шт. —
2 030 ֏
от 100 шт. —
1 570 ֏
от 250 шт. —
1 430 ֏
1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Описание
Unclassified
MDmesh™ DM2 Power MOSFETs STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 9.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 299 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 299 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 9.8 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF12N50DM2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 568 КБ
Datasheet STF12N50DM2
pdf, 568 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
