STF18N60M2, MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
711 шт., срок 6-9 недель
3 030 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
от 100 шт. —
1 790 ֏
от 500 шт. —
1 330 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 21.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 255 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 9 ns |
Время спада | 10.6 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF18N60M2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 47 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 13A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 791pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Series | MDmeshв(ў II Plus |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet STF18N60M2
pdf, 491 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг