STF28NM50N, MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1001 шт., срок 6-9 недель
5 600 ֏
от 25 шт. —
3 960 ֏
от 100 шт. —
3 410 ֏
от 1000 шт. —
3 160 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 550В, 13А, Idm: 84А, 35Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки: | 21 A |
Pd - рассеивание мощности: | 35 W |
Qg - заряд затвора: | 50 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 158 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
Вид монтажа: | Through Hole |
Время нарастания: | 19 ns |
Время спада: | 52 ns |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | MDmesh |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | STF28NM50N |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения: | 62 ns |
Типичное время задержки при включении: | 13.6 ns |
Торговая марка: | STMicroelectronics |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 35 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 52 ns |
Id - Continuous Drain Current | 21 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 35 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 50 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 158 mOhms |
Rise Time | 19 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 13.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 960 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STF28NM50N
pdf, 962 КБ
Datasheet STF28NM50N
pdf, 945 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг