STGB20H60DF, IGBTs 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
409 шт., срок 7-9 недель
2 780 ֏
от 10 шт. —
2 160 ֏
от 100 шт. —
1 650 ֏
от 250 шт. —
1 510 ֏
1 шт.
на сумму 2 780 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1829 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
