STGB30H60DLLFBAG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
736 шт., срок 7-9 недель
3 440 ֏
от 10 шт. —
2 730 ֏
от 25 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
1 960 ֏
1 шт.
на сумму 3 440 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 260 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Series: | STGB30H60DLLFBAG |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 862 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг