STGP30H60DFB, IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
175 шт., срок 7-9 недель
3 740 ֏
от 10 шт. —
3 480 ֏
от 25 шт. —
2 760 ֏
от 100 шт. —
2 140 ֏
1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
HB Trench Gate Field-Stop IGBTsSTMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGP30H60DFB |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 802 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
