STGW8M120DF3, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
![STGW8M120DF3, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
859 шт., срок 6-9 недель
5 100 ֏
от 25 шт. —
3 560 ֏
от 100 шт. —
2 850 ֏
от 250 шт. —
2 530 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 100 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 167 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | STGW8M120DF3 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet STGW8M120DF3
pdf, 828 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг