Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP20NM60, MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60, MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

723 шт., срок 6-9 недель

5 500 ֏

от 10 шт. — 4 980 ֏

от 25 шт. — 3 930 ֏

от 100 шт. — 3 410 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 500 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004584038

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	11 ns
Id - Continuous Drain Current:	20 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	192 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	54 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	290 mOhms
Rise Time:	20 ns
Series:	STP20NM60
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	42 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	1.95