Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP25N60M2-EP, MOSFETs N-channel 600 V ...

STP25N60M2-EP, MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

945 шт., срок 6-9 недель

2 490 ֏

от 25 шт. — 1 830 ֏

от 100 шт. — 1 520 ֏

от 500 шт. — 1 290 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 490 ֏

Номенклатурный номер: 8004584041

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	16 ns
Id - Continuous Drain Current:	18 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	150 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	29 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	188 mOhms
Rise Time:	10 ns
Series:	STP25N60M2-EP
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	61 ns
Typical Turn-On Delay Time:	15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	1.95