STP7N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
968 шт., срок 6-9 недель
3 600 ֏
от 10 шт. —
2 890 ֏
от 25 шт. —
2 650 ֏
от 100 шт. —
2 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Series: | STP7N105K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1050V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Series | SuperMESH5в(ў |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
