STP9N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

556 шт., срок 6-9 недель

3 380 ֏

от 10 шт. — 2 670 ֏

от 100 шт. — 2 010 ֏

от 250 шт. — 1 740 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 380 ֏

Номенклатурный номер: 8004584050

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки:	7 A
Pd - рассеивание мощности:	110 W
Qg - заряд затвора:	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	3 V
Вид монтажа:	Through Hole
Время нарастания:	5.7 ns
Время спада:	13.6 ns
Канальный режим:	Enhancement
Категория продукта:	МОП-транзистор
Количество каналов:	1 Channel
Коммерческое обозначение:	MDmesh
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Подкатегория:	MOSFETs
Полярность транзистора:	N-Channel
Производитель:	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:	1000
Серия:	STP9N80K5
Технология:	Si
Тип продукта:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:	65.3 ns
Типичное время задержки при включении:	11 ns
Торговая марка:	STMicroelectronics
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Вес, г	1.8