STT4P3LLH6, MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET

STT4P3LLH6, MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19875 шт., срок 6-9 недель
850 ֏
от 10 шт.720 ֏
от 100 шт.449 ֏
от 500 шт.338 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004584111
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 3.4 ns
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-6
Pd - Power Dissipation: 1.6 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 56 mOhms
Rise Time: 5 ns
Series: STT4P3LLH6
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 19.2 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 P-Channel
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 3.4 ns
Id - Continuous Drain Current -4 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-23-6
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 1.6 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 48 mOhms
Rise Time 5 ns
RoHS Details
Series P-channel STripFET
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 19.2 ns
Typical Turn-On Delay Time 5.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -30 V
Vgs - Gate-Source Voltage +/-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage -2.5 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 416 КБ
Datasheet STT4P3LLH6
pdf, 435 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг