STU12N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2951 шт., срок 6-9 недель

2 090 ֏

от 10 шт. — 1 650 ֏

от 100 шт. — 1 240 ֏

от 250 шт. — 780 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004584141

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	85 W
Qg - заряд затвора	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STU12N60M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Вес, г	0.34