STU4N80K5, MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2966 шт., срок 6-9 недель
2 000 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 200 ֏
от 250 шт. —
1 060 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 60 W |
| Qg - заряд затвора: | 10.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время нарастания: | 15 ns |
| Время спада: | 21 ns |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | MDmesh |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | STU4N80K5 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 16.5 ns |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | TO-251-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Base Product Number | STU4N80 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESH5в„ў -> |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2.1Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
