PD55008-E, RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 7-9 недель
20 300 ֏
от 10 шт. —
17 700 ֏
от 25 шт. —
16 500 ֏
от 50 шт. —
14 700 ֏
1 шт.
на сумму 20 300 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
Forward Transconductance - Min: | 1.6 S |
Gain: | 17 dB |
Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 1 GHz |
Output Power: | 8 W |
Package/Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 52.8 W |
Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | PD55008-E |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 472 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг