PD55008-E, RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS

PD55008-E, RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт., срок 7-9 недель
20 300 ֏
от 10 шт.17 700 ֏
от 25 шт.16 500 ֏
от 50 шт.14 700 ֏
1 шт. на сумму 20 300 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004672965
Бренд: STMicroelectronics

Описание

RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 400
Forward Transconductance - Min: 1.6 S
Gain: 17 dB
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 1 GHz
Output Power: 8 W
Package/Case: PowerSO-10RF-Formed-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 52.8 W
Product Category: RF MOSFET Transistors
Product Type: RF MOSFET Transistors
Series: PD55008-E
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: LDMOS FET
Type: RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 472 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг