PD55015-E, RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
355 шт., срок 7-9 недель
25 500 ֏
от 10 шт. —
20 900 ֏
от 50 шт. —
18 600 ֏
от 100 шт. —
16 600 ֏
1 шт.
на сумму 25 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +165 °C |
| Maximum Power Dissipation | 73 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerSO |
| Pin Count | 10 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Power Gain | 14 dB |
| Width | 9.5mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
