Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STFU28N65M2, MOSFETs N-channel 650 V ...

STFU28N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1891 шт., срок 6-9 недель

4 090 ֏

от 10 шт. — 3 250 ֏

от 25 шт. — 2 880 ֏

от 100 шт. — 2 300 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 090 ֏

Номенклатурный номер: 8004673207

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	20 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	35 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	180 mOhms
Series:	STFU28N65M2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	1.95