STGF20H60DF, IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1525 шт., срок 5-8 недель

3 200 ֏

от 10 шт. — 2 450 ֏

от 100 шт. — 1 890 ֏

от 250 шт. — 1 760 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 200 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004673211

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-3 FP
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	37 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGF20H60DF
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2.3