Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP11NM60FDFP, MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60FDFP, MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

738 шт., срок 6-9 недель

7 000 ֏

от 10 шт. — 5 400 ֏

от 25 шт. — 4 940 ֏

от 100 шт. — 3 930 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 000 ֏

Номенклатурный номер: 8004673407

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	15 ns
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	35 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	40 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	450 mOhms
Rise Time:	16 ns
Series:	STP11NM60FD
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Base Product Number	STP11 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 5.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	FDmeshв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	11
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	450@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	600
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	35000
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220FP
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	15
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	28
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	28@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	900@25V
Typical Rise Time (ns)	16
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20
Вес, г	2