STP20NM50FD, MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 шт., срок 6-9 недель
5 600 ֏
от 25 шт. —
4 320 ֏
от 100 шт. —
3 730 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™, полевой, 500В, 14А, Idm: 80А, 192Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 250@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 192000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -65~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 38 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 38@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1380@25V |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Документация
pdf, 396 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
