STP50N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
519 шт., срок 6-9 недель
7 300 ֏
от 10 шт. —
5 600 ֏
от 25 шт. —
5 200 ֏
от 100 шт. —
4 110 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.75 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-LL-HV |
| Pin Count | 8 |
| Series | STP50N60DM6 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 257 КБ
Datasheet STP50N60DM6
pdf, 269 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
