Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › PD57018S-E, MOSFETs RF POWER transistor ...

PD57018S-E, MOSFETs RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

384 шт., срок 7-9 недель

36 100 ֏

от 10 шт. — 29 100 ֏

от 25 шт. — 25 300 ֏

от 50 шт. — 24 500 ֏

1 шт. на сумму 36 100 ֏

Номенклатурный номер: 8004826964

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	400
Forward Transconductance - Min:	1 S
Id - Continuous Drain Current:	2.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+165 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PowerSO-10RF-2
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	31.7 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance:	760 mOhms
Series:	PD57018-E
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	4