Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB140NF75T4, MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp

STB140NF75T4, MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6078 шт., срок 6-9 недель

4 720 ֏

от 10 шт. — 3 650 ֏

от 25 шт. — 3 450 ֏

от 100 шт. — 2 580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 720 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827771

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	90 ns
Forward Transconductance - Min:	160 S
Id - Continuous Drain Current:	120 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-263-3
Pd - Power Dissipation:	310 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	218 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	7.5 mOhms
Rise Time:	140 ns
Series:	STB140NF75
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	130 ns
Typical Turn-On Delay Time:	30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	75 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	90 ns
Forward Transconductance - Min	160 S
Height	4.6 mm
Id - Continuous Drain Current	120 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Cut Tape
Pd - Power Dissipation	310 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 mOhms
Rise Time	140 ns
RoHS	Details
Series	STB140N75
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	9.35 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0065Ом
Power Dissipation	310Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	75В
Непрерывный Ток Стока	70А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	310Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0065Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Resistance	8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	75 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	310 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	160 nC @ 10 V
Вес, г	3.95