STB20N95K5, MOSFETs N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2180 шт., срок 7-9 недель
9 500 ֏
от 10 шт. —
7 700 ֏
от 100 шт. —
6 000 ֏
от 500 шт. —
4 910 ֏
1 шт.
на сумму 9 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Series: | STB20N95K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 17.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 275mΩ@10V, 9A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF@100V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 916 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
