STB5N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

907 шт., срок 6-9 недель

2 540 ֏

от 10 шт. — 2 000 ֏

от 100 шт. — 1 510 ֏

от 250 шт. — 1 290 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 540 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827841

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	60 W
Qg - заряд затвора	5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11.7 ns
Время спада	14.8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB5N80K5
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	23 ns
Типичное время задержки при включении	12.7 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	2.2