STB6N60M2, MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
![Фото 1/3 STB6N60M2, MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC038220278.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/830/DOC001830961.jpg)
2000 шт., срок 6-9 недель
2 050 ֏
от 10 шт. —
1 600 ֏
от 100 шт. —
1 180 ֏
от 500 шт. —
930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Trans МОП n-кан 600В 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/Ом
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 22.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 60 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.06 Ohms |
REACH - SVHC: | Details |
Rise Time: | 7.4 ns |
Series: | STB6N60M2 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.06Ом |
Power Dissipation | 60Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.06Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг