STB75NF20, MOSFET Low charge STripFET
![Фото 1/2 STB75NF20, MOSFET Low charge STripFET](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC012192978.jpg)
2389 шт., срок 6-9 недель
6 300 ֏
от 10 шт. —
5 200 ֏
от 25 шт. —
5 100 ֏
от 100 шт. —
3 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 300 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 29 ns |
Forward Transconductance - Min: | 40 S |
Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -50 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 190 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 84 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
Rise Time: | 33 ns |
Series: | STB75NF20 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 53 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 75 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 34 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -50 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 29 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 84 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 84 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3260 25V |
Typical Rise Time (ns) | 33 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 75 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 53 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Datasheet STB75NF20
pdf, 494 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг