STB7ANM60N, MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3088 шт., срок 6-9 недель

2 000 ֏

от 10 шт. — 1 560 ֏

от 100 шт. — 1 180 ֏

от 250 шт. — 1 010 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 000 ֏

Номенклатурный номер: 8004827850

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	12 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB7ANM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	4