STD11N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
![STD11N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614879.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2266 шт., срок 6-9 недель
2 400 ֏
от 10 шт. —
1 870 ֏
от 100 шт. —
1 400 ֏
от 250 шт. —
1 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
STM MDmeshV Power MOSFETs - Surface Mount
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 85 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms |
Series: | Mdmesh M5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1001 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг