STD25NF10LA, MOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
![Фото 1/3 STD25NF10LA, MOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614879.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/027/DOC038027004.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/344/DOC035344298.jpg)
2489 шт., срок 7-9 недель
2 070 ֏
от 10 шт. —
1 630 ֏
от 100 шт. —
1 210 ֏
от 250 шт. —
1 120 ֏
1 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 20 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 38 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
Rise Time: | 40 ns |
Series: | STD25NF10LA |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Case | DPAK |
Drain current | 21A |
Drain-source voltage | 100V |
Gate-source voltage | ±16V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 40mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 100W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 637 КБ
Datasheet STD25NF10LA
pdf, 650 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг