STD2N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7264 шт., срок 6-9 недель
2 450 ֏
от 10 шт. —
1 960 ֏
от 100 шт. —
1 460 ֏
от 250 шт. —
1 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 450 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1050В, 0,95А, 60Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 38.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Series: | STD2N105K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 38.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Rise Time | 8.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1050 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1116 КБ
Datasheet STD2N105K5
pdf, 1136 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
