STD2N62K3, MOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1669 шт., срок 6-9 недель
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
от 100 шт. —
1 100 ֏
от 500 шт. —
870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 1А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 22 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 45 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 15 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
Rise Time: | 4.4 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 620 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 687 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг