STD2NK100Z, MOSFETs N-Channel 1000V Zener SuperMESH

Фото 1/2 STD2NK100Z, MOSFETs N-Channel 1000V Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5399 шт., срок 7-9 недель
2 860 ֏
от 10 шт.2 250 ֏
от 100 шт.1 680 ֏
от 500 шт.1 240 ֏
1 шт. на сумму 2 860 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004827956
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 32.5 ns
Forward Transconductance - Min: 2.4 S
Id - Continuous Drain Current: 1.85 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 70 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.5 Ohms
Rise Time: 6.5 ns
Series: STD2NK100Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: SuperMESH
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 41.5 ns
Typical Turn-On Delay Time: 7.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 1.85
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) 1.85
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 8500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 1000
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 1k
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 70000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology SuperMESH
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 32.5
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 15
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 15@10V
Typical Gate Threshold Voltage (V) 10
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 499@25V
Typical Rise Time (ns) 6.5
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 41.5
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7.2
Brand STMicroelectronics
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Id - Continuous Drain Current 2 A
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Pd - Power Dissipation 70 W
Qg - Gate Charge 16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 8.5 Ohms
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 6.2 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 759 КБ
Datasheet
pdf, 608 КБ
Datasheet STD2NK100Z
pdf, 448 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг