STD2NK90ZT4, MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5087 шт., срок 6-9 недель
2 320 ֏
от 10 шт. —
1 830 ֏
от 100 шт. —
1 370 ֏
от 250 шт. —
1 080 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 1,3А, 70Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 40 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.3 S |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 70 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 19.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 Ohms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STD2NK90Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.2 mm |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
