STD4LN80K5, MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2203 шт., срок 6-9 недель
1 470 ֏
от 10 шт. —
1 200 ֏
от 100 шт. —
960 ֏
от 500 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
MDmesh K5 Power MOSFETsSTMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 25 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 60 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | STD4LN80K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 640 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг