STD6NF10T4, MOSFET N-Ch 100 Volt 6 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
368 шт., срок 6-9 недель
1 430 ֏
от 10 шт. —
1 120 ֏
от 100 шт. —
800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 430 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 30Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 3 ns |
Forward Transconductance - Min: | 34 S |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 14 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | STD6NF10 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
Power Dissipation | 30Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 3 ns |
Forward Transconductance - Min | 34 S |
Height | 2.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 6 A |
Length | 6.6 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Series | STD6NF10 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.2 mm |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг