STD7NM64N, MOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
532 шт., срок 6-9 недель
2 540 ֏
от 10 шт. —
2 000 ֏
от 100 шт. —
1 510 ֏
от 500 шт. —
1 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.05 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 640 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 12 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD7NM64N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 26 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet STD7NM64N
pdf, 966 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг